APD雪崩光电二极管特性测量实验仪JHGDTC-A04
产品简介APD雪崩光电二极管是一种P-N结型的光检测二极管,其中利用了载流子的雪崩倍增效应来放大光电信号以提高检测的灵敏度。其基本结构常常采用容易产生雪崩倍增效应的Read二极管结构(即N+PIP+型结构,P+一面接收光),工作时加较大的反向偏压,使得其达到雪崩倍增状态;它的光吸收区与倍增区基本一致(是存在有高电场的P区和I区)。本实验平台主要用于开展APD雪崩光电二极管的基本特性测量实验。 实验
产品简介APD雪崩光电二极管是一种P-N结型的光检测二极管,其中利用了载流子的雪崩倍增效应来放大光电信号以提高检测的灵敏度。其基本结构常常采用容易产生雪崩倍增效应的Read二极管结构(即N+PIP+型结构,P+一面接收光),工作时加较大的反向偏压,使得其达到雪崩倍增状态;它的光吸收区与倍增区基本一致(是存在有高电场的P区和I区)。本实验平台主要用于开展APD雪崩光电二极管的基本特性测量实验。 实验
产品简介
APD雪崩光电二极管是一种P-N结型的光检测二极管,其中利用了载流子的雪崩倍增效应来放大光电信号以提高检测的灵敏度。其基本结构常常采用容易产生雪崩倍增效应的Read二极管结构(即N+PIP+型结构,P+一面接收光),工作时加较大的反向偏压,使得其达到雪崩倍增状态;它的光吸收区与倍增区基本一致(是存在有高电场的P区和I区)。
本实验平台主要用于开展APD雪崩光电二极管的基本特性测量实验。
实验内容
1、APD雪崩光电二极暗电流测量实验、光电流测量实验
2、APD雪崩光电二极灵敏度测量实验
3、APD雪崩光电二极伏安特性测量实验
4、APD雪崩光电二极光电特性测量实验
5、APD雪崩光电二极时间响应特性测量实验
6、APD雪崩光电二极光谱特性测量实验
主要配置
1、探测器件:APD雪崩光电二极组件、七色光源组件、光照度计探头组件
2、测量组件:光照度计、电压表、电流表
3、功能组件:精密线性稳压电源、 信号源、微弱光发生与检测装置
辅助配置
本系统需要搭配示波器使用,如需配置,价格另计