• 光电探测器特性测量及应用设计实验仪JHGDTC-A

    光电探测器特性测量及应用设计实验仪JHGDTC-A

    产品简介光电探测器在光通信系统中实现将光转变成电的作用,这主要是基于半导体材料的光生伏特效应,所谓的光生伏特效应是指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。本实验平台主要用于开展光敏电阻、光电二极管、光电三极管、硅光电池、PIN光电二极管、APD光电二极管、色敏光电二极、光电倍增管的基本特性测量实验以及其相关的应用设计实验。 实验内容1、光敏电阻基本特性测量实验

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  • 光电二三级管特性测量及应用设计实验仪JHGDTC-A02

    光电二三级管特性测量及应用设计实验仪JHGDTC-A02

    产品简介光电二极管是一种能够将光根据使用方式,转换成电流或者电压信号的光探测器。管芯常使用一个具有光敏特征的PN结,对光的变化非常敏感,具有单向导电性,而且光强不同的时候会改变电学特性,因此,可以利用光照强弱来改变电路中的电流。光电三极管是一种晶体管,它有三个电极,其中基极未引出。当光照强弱变化时,电极之间的电阻会随之变化。光电三极管可以根据光照的强度控制集电极电流的大小,从而使光电三极管处于不

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  • 硅光电池特性测量及应用设计实验仪JHGDTC-A03

    硅光电池特性测量及应用设计实验仪JHGDTC-A03

    产品简介硅光电池是一种直接把光能转换成电能的半导体器件。它的结构很简单,核心部分是一个大面积的PN 结,把一只透明玻璃外壳的点接触型二极管与一块微安表接成闭合回路,当二极管的管芯(PN结)受到光照时,你就会看到微安表的表针发生偏转,显示出回路里有电流,这个现象称为光生伏特效应。硅光电池的PN结面积要比二极管的PN结大得多,所以受到光照时产生的电动势和电流也大得多。本实验平台主要用于开展硅光电池的基

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  • APD雪崩光电二极管特性测量实验仪JHGDTC-A04

    APD雪崩光电二极管特性测量实验仪JHGDTC-A04

    产品简介APD雪崩光电二极管是一种P-N结型的光检测二极管,其中利用了载流子的雪崩倍增效应来放大光电信号以提高检测的灵敏度。其基本结构常常采用容易产生雪崩倍增效应的Read二极管结构(即N+PIP+型结构,P+一面接收光),工作时加较大的反向偏压,使得其达到雪崩倍增状态;它的光吸收区与倍增区基本一致(是存在有高电场的P区和I区)。本实验平台主要用于开展APD雪崩光电二极管的基本特性测量实验。 实验

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  • 光电倍增管特性测量及微弱光信号检测实验仪JHGDTC-A05

    光电倍增管特性测量及微弱光信号检测实验仪JHGDTC-A05

    产品简介光电倍增管是将微弱光信号转换成电信号的真空电子器件。光电倍增管建立在外光电效应、二次电子发射和电子光学理论基础上,结合了高增益、低噪声、高频率响应和大信号接收区等特征,是一种具有极高灵敏度和超快时间响应的光敏电真空器件,可以工作在紫外、可见和近红外区的光谱区。日盲紫外光电倍增管对日盲紫外区以外的可见光、近紫外等光谱辐射不灵敏,具有噪声低(暗电流小于1nA)、响应快、接收面积大等特点。光电倍

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